碳化硅粉的發展前景分析

       碳化硅粉作為目前受關注的寬禁帶半導體材料之一，被人們稱為繼Si和GaAs之后的第三代半導體，在電力電子器件制造方面具有廣闊的發展前景。純碳化硅是無色透明的晶體，工業碳化硅因所含雜質的種類和含量不同，而呈淺黃、綠、藍乃至黑色，透明度隨其純度不同而異。

       由于天然含量甚少，碳化硅主要多為人造。常見的方法是將石英砂與焦炭混合，利用其中的二氧化硅和石油焦，加入食鹽和木屑，置入電爐中，加熱到2000°C左右高溫，經過各種化學工藝流程后得到碳化硅微粉。碳化硅所具有的耐高溫性、導熱性而成為隧道窯或梭式窯的窯具材料之一，它所具有的導電性使其成為一種重要的電加熱元件。具有高擊穿場強、高飽和電子漂移速率和高熱導率等優點，由其制成的SiC半導體器件可應用在高壓、大功率、高頻、高溫等一些環境惡劣的場合。眾所周知，飛機在飛行、使用與停放過程中，其周圍的氣候條件變化范圍大且變化速度快，因此，航空電氣設備的工作條件要比地面工業設備復雜，從而對飛機電源系統的要求很高。SiC器件的工作溫度可以高達600°C。